In Breve
- Qual è l'obiettivo di Kioxia con i nuovi moduli flash?
- Ridurre la dipendenza dalla DRAM nei data center per carichi di lavoro legati all'intelligenza artificiale.
- Cosa offre la linea GP1 di Kioxia?
- SSD NVMe PCIe 6.0 progettati per alti tassi di I/O e comunicazioni dirette tra GPU e storage.
- Quando saranno disponibili le prime unità di valutazione?
- Le unità di valutazione sono previste in consegna nell'agosto 2026.
Kioxia, leader nel settore delle memorie flash, ha annunciato lo sviluppo di tecnologie innovative destinate a ottimizzare i server dedicati all’intelligenza artificiale (AI). L’azienda sta lavorando a memorie flash ad alte prestazioni e interfacce avanzate per ridurre la dipendenza dei data center dalla DRAM, un componente costoso e spesso limitante per le prestazioni nei carichi di lavoro AI.
Grazie all’integrazione di NAND più veloce con interfacce come PCIe 6.0 e CXL, Kioxia mira a creare sia SSD ad elevata larghezza di banda che moduli di espansione della memoria. Queste nuove soluzioni si posizionano strategicamente tra la tradizionale DRAM e gli SSD, offrendo un’alternativa che potrebbe rivoluzionare il modo in cui i data center gestiscono i dati.
La nuova linea di prodotti GP1 include SSD NVMe PCIe 6.0 progettati per garantire alti tassi di I/O e per facilitare comunicazioni dirette tra GPU e storage. Questa gamma comprende anche il modello CM10, basato sulla decima generazione di BiCS FLASH, e il NX1, disponibile nel formato E1.S con connettività PCIe 5.0 e supporto per raffreddamento a liquido.
Uno dei progetti più significativi è rappresentato dalla serie XL1, un modulo di espansione compatibile CXL. Questo modulo, costruito su tecnologia XL FLASH, permette un accesso alla memoria tramite link PCIe, riducendo la latenza di lettura a meno di un decimo rispetto alle soluzioni NAND convenzionali. Kioxia sostiene che questa innovazione si colloca in una fascia di prestazioni e costi intermedia tra DRAM e SSD, offrendo un’opzione vantaggiosa per i data center.
Inoltre, l’azienda afferma che l’adozione di moduli CXL per sostituire parte della DRAM potrebbe raddoppiare la capacità di memoria e migliorare le prestazioni del 30%. Tuttavia, Kioxia riconosce che il NAND è intrinsecamente più lento della DRAM e che una sostituzione totale della DRAM potrebbe comportare penalizzazioni per applicazioni sensibili alla latenza.
Le prime unità di valutazione di queste tecnologie sono previste in consegna nell’agosto 2026. Kioxia presenterà le sue innovazioni durante il FMS 2026 a Santa Clara, dove sono previste presentazioni, sessioni tecniche e dimostrazioni dal vivo. La strategia dell’azienda si concentra sull’integrazione e l’ampliamento della memoria esistente, piuttosto che sulla sua completa eliminazione, segnando un passo importante verso un futuro più efficiente per i data center.